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Medientyp: E-Artikel Titel: Controlled-growth and characterization of 3C-SiC and 6H-SiC films on C-plane sapphire substrates by LPCVD Beteiligte: Zheng, Haiwu; Fu, Zhuxi; Lin, Bixia; Li, Xiaoguang Erschienen: Elsevier BV, 2006 Erschienen in: Journal of Alloys and Compounds Sprache: Englisch DOI: 10.1016/j.jallcom.2006.01.094 ISSN: 0925-8388 Entstehung: Anmerkungen: