Erschienen:
Royal Society of Chemistry (RSC), 2021
Erschienen in:Nanoscale
Sprache:
Englisch
DOI:
10.1039/d1nr05107e
ISSN:
2040-3364;
2040-3372
Entstehung:
Anmerkungen:
Beschreibung:
<jats:p>The asymmetric double-gate hafnium oxide based ferroelectric field-effect transistor displays a memory window exceeding 12 V and multi-level storage of 4 bit per cell with a disturb-free read.</jats:p>