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Medientyp: E-Artikel Titel: Relationship between stress and dangling bond generation at the (111)Si/SiO2interface Beteiligte: Stesmans, A. Erschienen: American Physical Society (APS), 1993 Erschienen in: Physical Review Letters Sprache: Englisch DOI: 10.1103/physrevlett.70.1723 ISSN: 0031-9007 Schlagwörter: General Physics and Astronomy Entstehung: Anmerkungen: