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Medientyp: E-Artikel Titel: 50-nm channel nMOSFET/SIMOX with an ultrathin 2- or 6-nm thick silicon layer and their significant features of operations Beteiligte: Omura, Y.; Kurihara, K.; Takahashi, Y.; Ishiyama, T.; Nakajima, Y.; Izumi, K. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1997 Erschienen in: IEEE Electron Device Letters Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/55.568758 ISSN: 0741-3106; 1558-0563 Entstehung: Anmerkungen: