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Medientyp: E-Artikel Titel: Electron saturation velocity variation in InGaAs and GaAs channel MODFETs for gate length to 550 AA Beteiligte: de la Houssaye, P.R.; Allee, D.R.; Pao, Y.; Schlom, D.G.; Harris, J.S.; Pease, R.F.W. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1988 Erschienen in: IEEE Electron Device Letters, 9 (1988) 3, Seite 148-150 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/55.2071 ISSN: 1558-0563; 0741-3106 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: