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Medientyp: E-Artikel Titel: A 130-nm channel length partially depleted SOI CMOS-technology Beteiligte: Pindl, S.; Berthold, J.; Huttner, T.; Reif, S.; Schumann, D.; von Philisborn, H. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1999 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices, 46 (1999) 7, Seite 1562-1566 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/16.772511 ISSN: 0018-9383 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: