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Medientyp: E-Artikel Titel: Dual-type CMOS gate electrodes by dopant diffusion from silicide Beteiligte: Nygren, S.; Amm, D.T.; Levy, D.; Torres, J.; Goltz, G.; d'Ouville, T.T.; Delpech, P. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1989 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/16.24352 ISSN: 0018-9383 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: