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Medientyp: E-Artikel Titel: Radiation Hardened 12T SRAM With Crossbar-Based Peripheral Circuit in 28nm CMOS Technology Beteiligte: Han, Yuanyuan; Li, Tongde; Cheng, Xu; Wang, Liang; Han, Jun; Zhao, Yuanfu; Zeng, Xiaoyang Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021 Erschienen in: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/tcsi.2021.3074699 ISSN: 1558-0806; 1549-8328 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering Entstehung: Anmerkungen: