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Medientyp: E-Artikel Titel: Gate-Length Dependence of Vertical GaSb Nanowire p-MOSFETs on Si Beteiligte: Jonsson, Adam; Svensson, Johannes; Lind, Erik; Wernersson, Lars-Erik Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/ted.2020.3012126 ISSN: 0018-9383; 1557-9646 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: