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Medientyp: E-Artikel Titel: Single Event Effects in 3-D NAND Flash Memory Cells With Replacement Gate Technology Beteiligte: Bagatin, Marta; Gerardin, Simone; Paccagnella, Alessandro; Costantino, Alessandra; Ferlet-Cavrois, Véronique; Pesce, Anastasia; Beltrami, Silvia Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023 Erschienen in: IEEE Transactions on Nuclear Science Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/tns.2022.3223763 ISSN: 0018-9499; 1558-1578 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Nuclear Energy and Engineering ; Nuclear and High Energy Physics Entstehung: Anmerkungen: