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Medientyp: E-Artikel Titel: Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress Beteiligte: Moultif, Niemat; Latry, Olivier; Joubert, Eric; Ndiaye, Mohamed; Moreau, Christian; Goupy, Jean-Francois; Carton, Patrick Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021 Erschienen in: IEEE Transactions on Power Electronics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/tpel.2020.3042133 ISSN: 0885-8993; 1941-0107 Entstehung: Anmerkungen: