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Medientyp: E-Artikel Titel: Statistical and Electrical Modeling of FDSOI Four-Gate Qubit MOS Devices at Room Temperature Beteiligte: Catapano, Edoardo; Ghibaudo, Gerard; Casse, Mikael; Frutuoso, Tadeu Mota; Paz, Bruna Cardoso; Bedecarrats, Thomas; Apra, Agostino; Gaillard, Fred; De Franceschi, Silvano; Meunier, Tristan; Vinet, Maud Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021 Erschienen in: IEEE Journal of the Electron Devices Society Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/jeds.2021.3082201 ISSN: 2168-6734 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials ; Biotechnology Entstehung: Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang