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Medientyp: E-Artikel Titel: Influence of Hydrogen on the Mechanism of Permanent Passivation of Boron–Oxygen Defects in p-Type Czochralski Silicon Beteiligte: Nampalli, Nitin; Hallam, Brett J.; Chan, Catherine E.; Abbott, Malcolm D.; Wenham, Stuart R. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015 Erschienen in: IEEE Journal of Photovoltaics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/jphotov.2015.2466457 ISSN: 2156-3381; 2156-3403 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Condensed Matter Physics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: