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Medientyp: E-Artikel Titel: Experimental Proof of the Drain-Side Dielectric Breakdown of HKMG nMOSFETs Under Logic Circuit Operation Beteiligte: Kupke, Steve; Knebel, Steve; Ocker, Johannes; Slesazeck, Stefan; Agaiby, Rimoon; Trentzsch, Martin; Mikolajick, Thomas Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015 Erschienen in: IEEE Electron Device Letters Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/led.2015.2411773 ISSN: 0741-3106; 1558-0563 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: