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Medientyp: E-Artikel Titel: High-Efficiency Class-F GaN HEMT Amplifier With Simple Parasitic-Compensation Circuit Beteiligte: Lee, Yong-Sub; Lee, Mun-Woo; Jeong, Yoon-Ha Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008 Erschienen in: IEEE Microwave and Wireless Components Letters Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/lmwc.2007.912023 ISSN: 1531-1309 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Condensed Matter Physics Entstehung: Anmerkungen: