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Medientyp: Elektronischer Konferenzbericht Titel: Transition from quasi-hexagonal to quasi-one dimensional pores distribution during deep anodic etching of uniaxial stressed silicon plate Beteiligte: Starkov, V. V.; Gavrilin, Eugene Y.; Vyatkin, Anatoli F.; Emel'yanov, Vladimir I.; Eremin, K. Erschienen: SPIE, 2004 Erschienen in: SPIE Proceedings (2004) Umfang: Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1117/12.557928 ISSN: 0277-786X Entstehung: Anmerkungen: