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Medientyp: E-Artikel Titel: Transition from the type-II broken-gap heterojunction to the staggered one in the GaInAsSb/InAs(GaSb) system Beteiligte: Mikhailova, M. P.; Moiseev, K. D.; Voronina, T. I.; Lagunova, T. S.; Yakovlev, Yu. P. Erschienen: Pleiades Publishing Ltd, 2007 Erschienen in: Semiconductors Sprache: Englisch DOI: 10.1134/s1063782607020091 ISSN: 1063-7826; 1090-6479 Schlagwörter: Condensed Matter Physics ; Atomic and Molecular Physics, and Optics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: