Drift velocity of electrons in quantum wells of selectively doped In0.5Ga0.5As/Al x In1 − x As and In0.2Ga0.8As/Al x Ga1 − x As heterostructures in high electric fields
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Medientyp:
E-Artikel
Titel:
Drift velocity of electrons in quantum wells of selectively doped In0.5Ga0.5As/Al x In1 − x As and In0.2Ga0.8As/Al x Ga1 − x As heterostructures in high electric fields
Beteiligte:
Požela, J.;
Požela, K.;
Raguotis, R.;
Jucienė, V.