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Medientyp: E-Artikel Titel: Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase Beteiligte: Shutov, S.V. Erschienen: National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka), 2006 Erschienen in: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.15407/spqeo9.01.084 ISSN: 1560-8034; 1605-6582 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Atomic and Molecular Physics, and Optics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang