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Medientyp: E-Artikel Titel: Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system Beteiligte: Shutov, S. V. Erschienen: National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka), 2006 Erschienen in: Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 9 (2006) 2, Seite 23-25 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.15407/spqeo9.02.023 ISSN: 1560-8034; 1605-6582 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Atomic and Molecular Physics, and Optics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang