• Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
  • Beteiligte: Shutov, S. V.
  • Erschienen: National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka), 2006
  • Erschienen in: Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 9 (2006) 2, Seite 23-25
  • Sprache: Nicht zu entscheiden
  • DOI: 10.15407/spqeo9.02.023
  • ISSN: 1560-8034; 1605-6582
  • Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Atomic and Molecular Physics, and Optics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Entstehung:
  • Anmerkungen:
  • Zugangsstatus: Freier Zugang