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Medientyp: E-Artikel Titel: Device simulation of negative-capacitance field-effect transistors with a uniaxial ferroelectric gate insulator Beteiligte: Hattori, Junichi; Ikegami, Tsutomu; Fukuda, Koichi; Ota, Hiroyuki; Migita, Shinji; Asai, Hidehiro Erschienen: Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE), 2020 Erschienen in: Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE Sprache: Englisch DOI: 10.1587/nolta.11.145 ISSN: 2185-4106 Schlagwörter: General Engineering Entstehung: Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang