Beschreibung:
Aus Messungen der Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit und der Ultrarotabsorption ergibt sich eindeutig, daß die binäre Verbindung Ga2Te3 Halbleitereigenschaften hat. Die Aktivierungsenergie der Eigenleitung beträgt nach den elektrischen Untersuchungen 1,55 eV, während die optischen Durchlässigkeitsmessungen nur auf einen Wert von 1,22 eV schließen lassen. Die Meßresultate werden im Zusammenhang mit der Gitterstruktur des Ga2Te3 diskutiert.