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Medientyp: E-Artikel Titel: Analysis of the Recombination-Active Region Around Extended Defects in Silicon Beteiligte: Kittler, Martin; Seifert, Winfried Erschienen: Trans Tech Publications, Ltd., 1995 Erschienen in: Materials Science Forum, 196-201 (1995), Seite 1123-1128 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.4028/www.scientific.net/msf.196-201.1123 ISSN: 1662-9752 Schlagwörter: Mechanical Engineering ; Mechanics of Materials ; Condensed Matter Physics ; General Materials Science Entstehung: Anmerkungen: