Balamurugan, N.B.;
Sankaranarayanan, K.;
Amutha, P.;
John, M. Fathima
An Analytical Modeling of Threshold Voltage and Subthreshold Swing on Dual Material Surrounding Gate Nanoscale MOSFETs for High Speed Wireless Communication
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Medientyp:
E-Artikel
Titel:
An Analytical Modeling of Threshold Voltage and Subthreshold Swing on Dual Material Surrounding Gate Nanoscale MOSFETs for High Speed Wireless Communication
Beteiligte:
Balamurugan, N.B.;
Sankaranarayanan, K.;
Amutha, P.;
John, M. Fathima
Erschienen:
The Institute of Electronics Engineers of Korea, 2008
Erschienen in:JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science