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Medientyp: E-Artikel Titel: Temperature effect on Al predose and AlN nucleation affecting the buffer layer performance for the GaN-on-Si based high-voltage devices Beteiligte: Novák, Tomáš; Kostelník, Petr; Konečný, Martin; Čechal, Jan; Kolíbal, Miroslav; Šikola, Tomáš Erschienen: IOP Publishing, 2019 Erschienen in: Japanese Journal of Applied Physics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d00 ISSN: 0021-4922; 1347-4065 Schlagwörter: General Physics and Astronomy ; Physics and Astronomy (miscellaneous) ; General Engineering Entstehung: Anmerkungen: