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Medientyp: E-Artikel Titel: Analysis of strain and dislocation evolution during MOCVD growth of an AlGaN/GaN power high-electron-mobility transistor structure Beteiligte: Rudinsky, Mikhail; Yakovlev, Eugene; Talalaev, Roman; Novak, Tomas; Kostelnik, Petr; Sik, Jan Erschienen: IOP Publishing, 2019 Erschienen in: Japanese Journal of Applied Physics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.7567/1347-4065/ab138e ISSN: 0021-4922; 1347-4065 Schlagwörter: General Physics and Astronomy ; Physics and Astronomy (miscellaneous) ; General Engineering Entstehung: Anmerkungen: