Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp:
E-Artikel
Titel:
Strained-Layer Epitaxy of Germanium-Silicon Alloys
Beteiligte:
Bean, John C.
Erschienen:
The American Association for the Advancement of Science, 1985
Erschienen in:
Science, 230 (1985) 4722, Seite 127-131
Sprache:
Englisch
ISSN:
0036-8075;
1095-9203
Entstehung:
Hochschulschrift:
Anmerkungen:
Beschreibung:
<p>Despite the dominant position of silicon in semiconductor electronics, its use is ultimately limited by its incompatibility with other semiconducting materials. Strained-layer epitaxy overcomes problems of crystallographic compatibility and produces high-quality heterostructures of germanium-silicon layers on silicon. This opens the door to a range of electronic and photonic devices that are based on bandstructure physics.</p>