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Engström, Olof [VerfasserIn]

The MOS system

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Cambridge: Cambridge University Press, 2014
Haartman, Martin von [VerfasserIn]; Östling, Mikael [VerfasserIn]

Low-frequency noise in advanced MOS devices

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Dordrecht: Springer, 2007

Erschienen in: ASP Analog Circuits and Signal Processing
Sell, Bernhard [VerfasserIn] ; Krautschneider, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Albrecht, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft] Technische Universität Hamburg-Harburg Arbeitsbereich Elektrotechnik V, Mikroelektronik

Interface characterization of metal-gate MOS-structures and the application to DRAM-capacitors

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2002
Nicollian, Edward H. [VerfasserIn]; Brews, John R. [VerfasserIn]

MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology - [Wiley classics library ed.]

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Hoboken, NJ: Wiley-Interscience, 2003

Erschienen in: Wiley classics library
Bassett, Ross Knox [VerfasserIn]

To the digital age : research labs, start-up companies, and the rise of MOS technology

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Baltimore, Md. [u.a.]: Johns Hopkins Univ. Press, 2002

Erschienen in: Johns Hopkins studies in the history of technology
Kohyama, Susumu [HerausgeberIn]

Very high speed MOS devices

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Oxford: Clarendon Pr., 1990

Erschienen in: Oxford science publications- Very high speed digital devices
Görlich, Siegfried [VerfasserIn]

Elektronenstrahltesten passivierter integrierter MOS-Bausteine

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1986

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 61
Schreiber, Herrmann [VerfasserIn]

MOS-Leistungstransistortechnik : Aufbau, Schaltungen, Anwendungen

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Muenchen: Franzis, 1983

Erschienen in: RPB-Electronic-Taschenbücher ; 186
Häusler, Ludwig [VerfasserIn]

MOS-Technologie

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Berlin; München: Siemens, 1980
Lenk, John D. [VerfasserIn]; Lenk, J. D. [VerfasserIn]

Manual for mos users

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Reston, Va.: Reston Publ. Co., c 1975
Richman, Paul [VerfasserIn]

MOS field-effect transistors and integrated circuits

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New York [u.a.]: Wiley, 1973

Erschienen in: A Wiley-interscience publication
Höhr, Timm [VerfasserIn]

Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices

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2005 ; Mikrofiche-Ausg.
Grebene, Alan B. [VerfasserIn]

Bipolar and MOS analog integrated circuit design - [8. print.]

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New York [u.a.]: Wiley, 1984

Erschienen in: A Wiley-Interscience publication
Aslam, Mohammad [VerfasserIn]

Temperverhalten von Elektronen- und Loecherfangstellen in SiO2-Schichten von MOS-Strukturen : Fangstellen in MOS-Strukturen

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1983
Bentarzi, Hamid [VerfasserIn]

Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2011

Erschienen in: Engineering materials
Rebohle, Lars [VerfasserIn]; Skorupa, Wolfgang [VerfasserIn]

Rare-earth implanted MOS devices for silicon photonics : microstructural, electrical and optoelectronic properties

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2010

Erschienen in: Springer series in materials science ; 142
Jungemann, Christoph [VerfasserIn]; Meinerzhagen, Bernd [VerfasserIn]; Meinzerhagen, Bernd [VerfasserIn]

Hierarchical device simulation : the Monte-Carlo perspective

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Wien [u.a.]: Springer, 2003

Erschienen in: Computational microelectronics
Baßler, Michael [VerfasserIn]

Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC/SiO2

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2000
Brillson, Leonard J. [HerausgeberIn]

Contacts to semiconductors : fundamentals and technology

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Park Ridge, NJ: Noyes, 1993

Erschienen in: Materials science and process technology series ; Electronic materials and process technology
Plassche, Rudy J. van de [VerfasserIn]

Integrated analog to digital and digital to analog converters

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Boston [u.a.]: Kluwer, 1994

Erschienen in: Kluwer international series in engineering and computer science ; 264

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