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Liu, William [VerfasserIn]

Fundamentals of III-V devices : HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs

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New York; Weinheim [u.a.]: Wiley, c 1999

Erschienen in: A Wiley-Interscience publication
Ross, R. Lee [HerausgeberIn] ; Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications 1994 Erice

Pseudomorphic HEMT technology and applications ; [proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Pseudomorphic HEMT Technology and Applications Erice, Sicily, Italy, July 14-25, 1994]

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Dordrecht; London [u.a.]: Kluwer Academic, 1996

Erschienen in: NATO: NATO ASI series / E ; 309
Anholt, Robert Edward [VerfasserIn]

Electrical and thermal characterization of MESFETs, HEMTs, and HBTs

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Boston [u.a.]: Artech House, 1995

Erschienen in: Artech House microwave library
Weiß, Matthias [VerfasserIn]

Leistungscharakteristik und Sättigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1988

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 78
Wing, Omar [VerfasserIn]

Gallium arsenide digital circuits

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Boston [u.a.]: Kluwer, 1990

Erschienen in: Kluwer international series in engineering and computer science ; 109
Meschede, Herbert [VerfasserIn]

Hochfrequenzcharakterisierung von Mikrowellentransistoren aus III-V-Halbleitermaterial bei Temperaturen im Bereich von 20 K bis 300 K - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1993

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 21 ; 144
Waasen, Stefan van [VerfasserIn]

Wanderwellenverstärker für hochbitratige monolithisch integrierte Photoempfänger auf Basis von InAlAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr.]

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Aachen: Shaker, 1999

Erschienen in: Berichte aus der Halbleitertechnik
Pearton, Stephen J. [VerfasserIn]; Abernathy, Cammy R. [VerfasserIn]; Ren, Fan [VerfasserIn]

Gallium nitride processing for electronics, sensors and spintronics

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London [u.a.]: Springer, 2006

Erschienen in: Engineering materials and processes
Honkanen, Katri Eliisa [VerfasserIn]

A GaAs-based photoreceiver consisting of a submicron metal-semiconductor-metal photodetector and high electron mobiblity transistor

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2002
Kudszus, Steffen [VerfasserIn]

Monolithisch integrierte Millimeterwellen-Oszillatoren auf der Basis von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 2001

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 336
Kleindienst, Thorsten [VerfasserIn]

2D-Computersimulation von A1GaAs/InGaAs Hetrostruktur-Feldeffekttransistoren

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2000 ; Mikrofiche-Ausg.
Berntgen, Jürgen [VerfasserIn]

Niederfrequentes Rauschen von In 0,53 Ga 0,47 As-Bulkmaterial und In x Ga 1-x As-Quantentopf-Strukturen : ein Beitrag zum Verständnis niederfrequenter Schwankungserscheinungen in modernen Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr.]

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Aachen: Shaker, 2000

Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik
Werkstetter, Mario [VerfasserIn]

Hocheffizienter DC/DC-Wandler auf Basis von GaN-Leistungsschaltern für Hochleistungs-Leuchtdioden im Kraftfahrzeug

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Chemnitz: Universitätsverlag Chemnitz, 2018
Quay, Rüdiger [VerfasserIn]

Gallium nitride electronics

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Berlin; Heidelberg: Springer, 2008

Erschienen in: Springer series in materials science ; 96
Höck, Georg Josef [VerfasserIn]

Silizium Germanium p-Kanal Heterostruktur Feldeffekttransistoren

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https://d-nb.info/1015471358/34

kostenfrei

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Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften, 2004
Liu, Zhaojun [VerfasserIn]; Huang, Tongde [VerfasserIn]; Li, Qiang [VerfasserIn]; Lu, Xing [VerfasserIn]; Zou, Xinbo [VerfasserIn]

Compound semiconductor materials and devices

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San Rafael, California <1537 Fourth Street, San Rafael, CA 94901 USA>: Morgan & Claypool, 2016

Erschienen in: Synthesis lectures on emerging engineering technologies ; 3
Hosch, Michael [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Behtash, Reza [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Thorpe, James R. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Held, Stefanie [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Blanck, Hervé [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Riepe, Klaus J. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Schumacher, Hermann [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

The impact of layout and technology on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HFETs

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Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2009
Kallfass, Ingmar [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Schumacher, Hermann [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Brazil, Thomas J. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Multiple time constant modeling of dispersion dynamics in hetero field-effect transistors

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Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2009
Kallfass, Ingmar [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Schumacher, Hermann [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Brazil, Thomas J. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

A unified approach to charge-conservative capacitance modelling in HEMTs

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Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2009
Maier, David [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Kaiser, Ute [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Troadec, David [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Gaquière, Christophe [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Alomari, Mohammed [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Kohn, Erhard [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Diforte-Poisson, Marie-Antoinette [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Dua, Christian [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Delage, Sylvain L. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Grandjean, Nicolas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Carlin, Jean-Franç̧ois [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Chuvilin, Andrey [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

High temperature stability of nitride-based power HEMTs

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Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften und Informatik, 2011

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