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Greupner, H.; Gaworzewski, P.

Zum nachweis der elektronenmehrfachemission mittels szintillationszähler

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Elsevier BV, 1969

Erschienen in: International Journal of Mass Spectrometry and Ion Physics
Osten, H. J.; Gaworzewski, P.

Charge transport in strained Si1−yCy and Si1−x−yGexCy alloys on Si(001)

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AIP Publishing, 1997

Erschienen in: Journal of Applied Physics
Franz, M.; Pressel, K.; Gaworzewski, P.

Alloy effects in boron doped Si-rich SiGe bulk crystals

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AIP Publishing, 1998

Erschienen in: Journal of Applied Physics
Kühne, H.; Gaworzewski, P.; Malze, W.

Autodoping of epitaxial silicon layers (II) diffusion‐induced autodoping

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Wiley, 1985

Erschienen in: Crystal Research and Technology
Schmalz, K.; Gaworzewski, P.; Kirscht, F. -G.

Deep Levels in Czochralski p-Si Due to Heat Treatment at 600 to 900 °C

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Wiley, 1984

Erschienen in: Physica Status Solidi (a)
Gaworzewski, P.; Hild, E.; Schmalz, K.

Oxygen donor formation and oxygen precipitation in czochralski silicon due to heat treatment at 600 to 800 °c

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Wiley, 1985

Erschienen in: physica status solidi (a)
Gaworzewski, P.; Hähle, S.; Riemann, H.

Zum Nachweis von Sauerstoff in Mikrobereichen von versetzungsfreien Czochralski‐Silizium‐Einkristallen

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Wiley, 1977

Erschienen in: Kristall und Technik
Gaworzewski, P.; Krebs, K.H.; Mai, M.

Untersuchungen zur kinetischen ionen-elektronen-emission von halbleiteroberflächen beim beschuss mit positiven edelgasionen im energiebereich 2–25 keV

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Elsevier BV, 1974

Erschienen in: International Journal of Mass Spectrometry and Ion Physics
Gaworzewski, P.; Krebs, K.H.; Mai, M.

Zur kinetischen ionen-elektronen-emission beim beschuss

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Elsevier BV, 1973

Erschienen in: International Journal of Mass Spectrometry and Ion Physics
Krüger, D.; Dabrowski, J.; Gaworzewski, P.; Kurps, R.; Pomplun, K.

Fluorine incorporation into gate stacks of advanced silicon memory technologies: Simulation, depth distribution, and reliability

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AIP Publishing, 2001

Erschienen in: Journal of Applied Physics
Krüger, D.; Gaworzewski, P.; Kurps, R.; Schmidt, K.; Luhmann, C.

Arsenic doped buried plate characterization in deep trenches for a 0.25 μm complementary metal–oxide–semiconductor technology by chemical etching

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American Vacuum Society, 2000

Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena
Osten, H. J.; Griesche, J.; Gaworzewski, P.; Bolze, K. D.

Influence of interstitial carbon defects on electron transport in strained Si1−yCy layers on Si(001)

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AIP Publishing, 2000

Erschienen in: Applied Physics Letters
Gaworzewski, P.; Tittelbach-Helmrich, K.; Penner, U.; Abrosimov, N. V.

Electrical properties of lightly doped p-type silicon–germanium single crystals

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AIP Publishing, 1998

Erschienen in: Journal of Applied Physics
Hild, E.; Gaworzewski, P.; Franz, M.; Pressel, K.

Thermal donors in silicon-rich SiGe

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AIP Publishing, 1998

Erschienen in: Applied Physics Letters
Tillack, B; Krüger, D; Gaworzewski, P; Ritter, G

Atomic layer doping of SiGe by low pressure (rapid thermal) chemical vapor deposition

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Elsevier BV, 1997

Erschienen in: Thin Solid Films
Osten, H. J.; Lippert, G.; Gaworzewski, P.; Sorge, R.

Impact of low carbon concentrations on the electrical properties of highly boron doped SiGe layers

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AIP Publishing, 1997

Erschienen in: Applied Physics Letters
Gaworzewski, P.; Roos, B.; Höppner, K.; Höppner, W.

The influence of plastic properties of the probe tip/Si contact on spreading resistance analyses

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AIP Publishing, 1996

Erschienen in: Journal of Applied Physics
Kruger, D; Gaworzewski, P; Kurps, R; Schlote, J

Phosphorus segregation at polysilicon-silicon interfaces from in situ P spike-doped silicon films

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IOP Publishing, 1995

Erschienen in: Semiconductor Science and Technology
Schmalz, K.; Gaworzewski, P.; Winkler, R.; Skorupa, Wolfgang

On Carbon-Implantation Induced Donors in Silicon

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Trans Tech Publications, Ltd., 1991

Erschienen in: Solid State Phenomena
Schmalz, K.; Gaworzewski, P.; Winkler, R.; Skorupa, W.

On carbon–implantation induced donors in silicon

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Wiley, 1991

Erschienen in: Physica Status Solidi (a)

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