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  1. Moench, Stefan [Verfasser:in]; Reiner, Richard [Verfasser:in]; Czap, Heiko [Verfasser:in]; Müller, Stefan [Verfasser:in]; Rüster, Joachim [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Meder, Dirk [Verfasser:in] ; Waltereit, Patrick [Mitwirkende:r] Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

    Integrierte, hocheffiziente Leistungselektronik auf der Basis von Galliumnitrid - GaNIAL; Einzelvorhaben: Monolitisch integrierte, schnell schaltende Galliumnitrid Leistungsbauelemente : öffentlicher Abschlussbericht : Laufzeit: 01.10.2016-31.12.2019 = Monolithically, integrated, fast-switching gallium nitride power devices

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    [Freiburg]: [Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF)], 30. Juni 2020

  2. Döring, Philipp [Verfasser:in]; Driad, Rachid [Verfasser:in]; Reiner, Richard [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Verfasser:in]; Mikulla, Michael [Verfasser:in]; Ambacher, Oliver [Verfasser:in]

    Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability

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    Hoboken, NJ: Institution of Engineering and Technology (IET), 2021

    Erschienen in: Electronics letters ; 57, 3 (2021), 145-147

  3. Reiner, Richard [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Verfasser:in]; Mönch, Stefan [Verfasser:in]; Müller, Stefan [Verfasser:in]; Czap, Heiko [Verfasser:in]; Basler, Michael [Verfasser:in]; Rüster, Joachim [Verfasser:in] ; Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

    Technologien und Prozesse zur Heterointegration leistungselektronischer Systeme (MIIMOSYS); Einzelvorhaben: Schnell schaltende GaN Bauelemente für die Heterointegration leistungselektronischer Systeme per Transferdruck (MIIMOSYS-IAF) : öffentlicher Abschlussbericht : Laufzeit: 01.08.2017-30.09.2021

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    Freiburg: Fraunhofer Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), Oktober 2021

  4. Döring, Philipp [Verfasser:in]; Driad, Rachid [Verfasser:in]; Leone, Stefano [Verfasser:in]; Mueller, Stefan [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Polyakov, Vladimir [Verfasser:in]; Mikulla, Michael [Verfasser:in]; Ambacher, Oliver [Verfasser:in]

    Growth and fabrication of quasivertical current aperture vertical electron transistor structures

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    Berlin: Wiley, 2021

    Erschienen in: Physica status solidi. A ; 218, 3 (2020), 2000379

  5. Moench, Stefan [Verfasser:in]; Müller, Stefan G. [Verfasser:in]; Reiner, Richard [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Verfasser:in]; Czap, Heiko [Verfasser:in]; Basler, Michael [Verfasser:in]; Hückelheim, Jan [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Kallfass, Ingmar [Verfasser:in]; Quay, Rüdiger [Verfasser:in]; Ambacher, Oliver [Verfasser:in]

    Monolithic integrated AlGaN/GaN power converter topologies on high‐voltage AlN/GaN superlattice buffer

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    Weinheim: Wiley-VCH, 2020

    Erschienen in: Physica status solidi. A ; 218, 3 (Special Issue: Compound Semiconductors) (2020), 2000404

  6. Manz, Christian [Verfasser:in]; Leone, Stefano [Verfasser:in]; Kirste, Lutz [Verfasser:in]; Ligl, Jana [Verfasser:in]; Frei, Kathrin [Verfasser:in]; Fuchs, Theodor [Verfasser:in]; Prescher, Mario [Verfasser:in]; Waltereit, Patrick [Verfasser:in]; Verheijen, Marcel A. [Verfasser:in]; Graff, Andreas [Verfasser:in]; Simon, Michel [Verfasser:in]; Altmann, Frank [Verfasser:in]; Fiederle, Michael [Verfasser:in]; Ambacher, Oliver [Verfasser:in]

    Improved AlScN/GaN heterostructures grown by metal-organic chemical vapor deposition

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    Bristol: IOP Publishing, 2021

    Erschienen in: Semiconductor science and technology ; 36, 3 (2021), 034003

  8. Basler, Michael; Reiner, Richard; Moench, Stefan; Waltereit, Patrick; Quay, Rudiger

    GaN Active Rectifier Diode

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022

    Erschienen in: IEEE Open Journal of Power Electronics, 3 (2022), Seite 876-885

  12. Reiner, Richard; Nambiar, Akshay G.; Basler, Michael; Mönch, Stefan; Waltereit, Patrick; Quay, Rüdiger

    Extraction of the Thermal Resistance and the Thermal Capacitance of GaN Power HEMTs by Using Pulsed I–V Measurements

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2024

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices (2024), Seite 1-5

  14. Krause, Sebastian; Streicher, Isabel; Waltereit, Patrick; Kirste, Lutz; Bruckner, Peter; Leone, Stefano

    AlScN/GaN HEMTs Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition With 8.4 W/mm Output Power and 48 % Power-Added Efficiency at 30 GHz

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters, 44 (2023) 1, Seite 17-20

  16. Moench, Stefan; Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Molin, Christian; Gebhardt, Sylvia; Bach, David; Binninger, Roland; Bartholome, Kilian

    Enhancing Electrocaloric Heat Pump Performance by Over 99% Efficient Power Converters and Offset Fields

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022

    Erschienen in: IEEE Access, 10 (2022), Seite 46571-46588

  17. Basler, Michael; Reiner, Richard; Moench, Stefan; Benkhelifa, Fouad; Doring, Philipp; Waltereit, Patrick; Quay, Rudiger; Ambacher, Oliver

    Building Blocks for GaN Power Integration

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021

    Erschienen in: IEEE Access, 9 (2021), Seite 163122-163137

  18. Doering, Philipp; Driad, Rachid; Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Mikulla, Michael; Ambacher, Oliver

    Metal organic chemical vapour deposition regrown large area GaN‐on‐GaN current aperture vertical electron transistors with high current capability

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    Institution of Engineering and Technology (IET), 2021

    Erschienen in: Electronics Letters, 57 (2021) 3, Seite 145-147

  19. Doring, Philipp; Driad, Rachid; Reiner, Richard; Waltereit, Patrick; Leone, Stefano; Mikulla, Michael; Ambacher, Oliver

    Technology of GaN-Based Large Area CAVETs With Co-Integrated HEMTs

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021

    Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021) 11, Seite 5547-5552

  20. Basler, Michael; Reiner, Richard; Moench, Stefan; Waltereit, Patrick; Quay, Rudiger; Kallfass, Ingmar; Ambacher, Oliver

    Large-Area Lateral AlGaN/GaN-on-Si Field-Effect Rectifier With Low Turn-On Voltage

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    Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020

    Erschienen in: IEEE Electron Device Letters, 41 (2020) 7, Seite 993-996