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Medientyp: E-Artikel Titel: Thermal Stability and Failure Mechanism of Schottky Gate AlGaN/GaN HEMTs Beteiligte: Mocanu, Manuela; Unger, Christian; Pfost, Martin; Waltereit, Patrick; Reiner, Richard Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices, 64 (2017) 3, Seite 848-855 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/ted.2016.2633725 ISSN: 0018-9383; 1557-9646 Entstehung: Anmerkungen: