Description:
Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>
The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.<eng>