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Münster, Patrick [VerfasserIn] ; Eckel, Hans-Günter [AkademischeR BetreuerIn]; Bakran, Mark-Matthias [AkademischeR BetreuerIn]; Krafft, Eberhard Ulrich [AkademischeR BetreuerIn] Universität Rostock, Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik

Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT

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  • Medientyp: E-Book; Hochschulschrift
  • Titel: Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
  • Beteiligte: Münster, Patrick [VerfasserIn]; Eckel, Hans-Günter [AkademischeR BetreuerIn]; Bakran, Mark-Matthias [AkademischeR BetreuerIn]; Krafft, Eberhard Ulrich [AkademischeR BetreuerIn]
  • Körperschaft: Universität Rostock ; Universität Rostock, Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
  • Erschienen: Rostock: Universität, 2019
  • Umfang: 1 Online-Ressource
  • Sprache: Deutsch
  • DOI: 10.18453/rosdok_id00002696
  • Identifikator:
  • Schlagwörter: Hochschulschrift
  • Entstehung:
  • Hochschulschrift: Dissertation, Universität Rostock, 2020
  • Anmerkungen: GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)
  • Beschreibung: Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>

    The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.<eng>
  • Zugangsstatus: Freier Zugang