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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Single stress safe operating area of DMOS transistors integrated in smart power technologies Beteiligte: Denison, Marie [VerfasserIn] Erschienen: Aachen: Shaker, 2005 Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik Umfang: XXIV, 134 S; Ill., graph. Darst; 21 cm Sprache: Englisch ISBN: 3832241914 RVK-Notation: ZN 4960 : MOS-, MIS-Schaltungen (hier auch CTD-Schaltungen; Eimerkettenschaltungen; CMOS-Schaltungen...) Schlagwörter: Smart-power-Bauelement > DMOS-FET > Thermodynamische Eigenschaft > Elektrische Eigenschaft > Durchschlagspannung > Netzwerksimulation Entstehung: Hochschulschrift: Zugl.: Bremen, Univ., Diss., 2004 Anmerkungen: Zsfassung in dt. Sprache