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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Investigation of physical and chemical interactions during etching of silicon in dual frequency capacitively coupled HBr/NF3 gas discharges Beteiligte: Reinicke, Marco [Verfasser] Umfang: Online-Ressource Sprache: Englisch Identifikator: RVK-Notation: ZN 4172 : Ätzen Schlagwörter: Dynamisches RAM > Silicium > Wafer > Plasmaätzen > Gasentladung Entstehung: Hochschulschrift: Dresden, Techn. Univ., Diss., 2009 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang