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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Elektrische Charakterisierung Bauelement-relevanter Defekte in 3C- und 4H-Siliziumkarbid Beteiligte: Zippelius, Bernd [Verfasser:in] Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Siliciumcarbid ; Hall-Effekt ; DLTS ; n-Kanal-FET ; PN-Diode ; Tiefe Störstelle ; Halbleitergrenzfläche ; Gitterbaufehler ; Hochschulschrift Entstehung: Hochschulschrift: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2011 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang