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Medientyp: E-Book; Hochschulschrift Titel: Herstellung und Charakterisierung von GaN-basierenden Heterostruktur-Feldeffekttransistoren Beteiligte: Daumiller, Ingo Michael [Verfasser] Erschienen: Ulm: Universität Ulm. Fakultät für Ingenieurwissenschaften, 2003 Umfang: Online-Ressource Sprache: Deutsch Identifikator: Schlagwörter: Galliumnitrid > Feldeffekttransistor > Heterostruktur-Bauelement Entstehung: Hochschulschrift: Ulm, Universität Ulm, Diss., 2002 Anmerkungen: Zugangsstatus: Freier Zugang