> Merkliste Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp: E-Artikel Titel: New insight on negative bias temperature instability degradation with drain bias of 28nm High-K Metal Gate p-MOSFET devices Beteiligte: Liao, Miao; Gan, Zhenghao Erschienen: Elsevier BV, 2014 Erschienen in: Microelectronics Reliability Sprache: Englisch DOI: 10.1016/j.microrel.2014.05.010 ISSN: 0026-2714 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Surfaces, Coatings and Films ; Safety, Risk, Reliability and Quality ; Condensed Matter Physics ; Atomic and Molecular Physics, and Optics ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: