Hetero-emitter-like characteristics of phosphorus doped polysilicon emitter transistors. Part I: band structure in the polysilicon emitter obtained from electrical measurements
Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp:
E-Artikel
Titel:
Hetero-emitter-like characteristics of phosphorus doped polysilicon emitter transistors. Part I: band structure in the polysilicon emitter obtained from electrical measurements
Beteiligte:
Kondo, M.;
Kobayashi, T.;
Tamaki, Y.
Erschienen:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1995
Erschienen in:IEEE Transactions on Electron Devices