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Medientyp: E-Artikel Titel: Understanding the Resistive Switching Mechanism of 2-D RRAM: Monte Carlo Modeling and a Proposed Application for Reliability Research Beteiligte: Huang, Yifu; Gu, Yuqian; Chang, Yao-Feng; Chen, Ying-Chen; Akinwande, Deji; Lee, Jack C. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices, 70 (2023) 4, Seite 1676-1681 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/ted.2023.3249139 ISSN: 0018-9383; 1557-9646 Entstehung: Anmerkungen: