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Medientyp: E-Artikel Titel: Highly Reliable and Secure PUF Using Resistive Memory Integrated Into a 28 nm CMOS Process Beteiligte: Esatu, Tsegereda K.; Prakash, Amit; Li, Zhi; Lau, Derek; Jo, Sung Hyun; Liu, Tsu-Jae King Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/ted.2023.3251953 ISSN: 0018-9383; 1557-9646 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: