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Medientyp: E-Artikel Titel: Total Ionizing Dose Effects in 3D NAND Replacement Gate Flash Memory Cells Beteiligte: Bagatin, Marta; Gerardin, Simone; Paccagnella, Alessandro; Beltrami, Silvia Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2024 Erschienen in: IEEE Transactions on Nuclear Science Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/tns.2023.3334949 ISSN: 1558-1578; 0018-9499 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Nuclear Energy and Engineering ; Nuclear and High Energy Physics Entstehung: Anmerkungen: