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Medientyp: E-Artikel Titel: Numerical Study of p-n-Doped Poly-Silicon Shield Gate Trench MOSFET With Reduced Output Capacitance Beteiligte: Wang, Wendi; Ning, Runtao; Shen, Z. John Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017 Erschienen in: IEEE Electron Device Letters, 38 (2017) 8, Seite 1055-1058 Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/led.2017.2713354 ISSN: 1558-0563; 0741-3106 Entstehung: Anmerkungen: