A Study on Surface Formation Mechanism by Molecular Beam Epitaxy. (1st Report). An Effect of Energy and Density of Adsorbed Molecules upon Si-Si Homo-Epitaxial Growth Mechanism
Sie können Bookmarks mittels Listen verwalten, loggen Sie sich dafür bitte in Ihr SLUB Benutzerkonto ein.
Medientyp:
E-Artikel
Titel:
A Study on Surface Formation Mechanism by Molecular Beam Epitaxy. (1st Report). An Effect of Energy and Density of Adsorbed Molecules upon Si-Si Homo-Epitaxial Growth Mechanism
Beteiligte:
KANEKO, Arata;
FURUKAWA, Yuji
Erschienen:
Japan Society for Precision Engineering, 2000
Erschienen in:
Journal of the Japan Society for Precision Engineering, 66 (2000) 5, Seite 735-741