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Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn] ; Books on Demand GmbH Norderstedt, Technische Universität Dresden

Development and investigation of novel logic-in-memory and nonvolatile logic circuits utilizing hafnium oxide-based ferroelectric field-effect transistors - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD – Books on Demand, [2022]

Erschienen in: Research at namlab
Tiedke, Stephan [VerfasserIn]

Elektrische Charakterisierung ferroelektrischer Nanostrukturen in Hinblick auf die Verwendung in nicht-flüchtigen Speicherbausteinen

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Aachen: Shaker, 2005

Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik
Knebel, Steve [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden, Logos Verlag Berlin

Herstellung ultra-dünner hoch-[epsilon]r Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

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Berlin: Logos Verlag, [2019]

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 6
Pešić, Milan Dragan [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD Books on Demand, [2017]

Erschienen in: Research at namlab
Ramesh, Ramamoorthy [HerausgeberIn]

Thin film ferroelectric materials and devices

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Boston, Mass. [u.a.]: Kluwer Academic Publ., 1997

Erschienen in: Kluwer international series in electronic materials, science and technology ; 3
Ellerkmann, Ulrich [VerfasserIn]

Impact of the interface capacity on failure mechanisms and size effects in ferroelectric thin films

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Aachen: Shaker, 2006

Erschienen in: Berichte aus der Halbleitertechnik
George, Easo P. [HerausgeberIn] ; Symposium on Materials for Smart Systems 1 1994 Boston, Mass

Materials for smart systems : symposium held November 28 - 30, 1994, Boston, Massachusetts, U.S.A.

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Pittsburgh, Pa.: Materials Research Society, 1995

Erschienen in: Materials Research Society: Materials Research Society symposium proceedings ; 36000 - Materials Research Society: Materials Research Society symposium proceedings / Materials for smart systems ; 1
Lederer, Maximilian [VerfasserIn] ; Eng, Lukas [AkademischeR BetreuerIn]; Noheda, Beatriz [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

Material development of doped hafnium oxide for non-volatile ferroelectric memory application

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Dresden: Technische Universität Dresden, 6th May 2022
Materano, Monica [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Dubourdieu, Catherine [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

Optimization of performance and reliability of HZO-based capacitors for ferroelectric memory applications

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Dresden, 31.01.2022
Okuyama, Masanori [HerausgeberIn]; Ishibashi, Yoshihiro [HerausgeberIn]

Ferroelectric thin films : basic properties and device physics for memory applications

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2005

Erschienen in: Topics in applied physics ; 98
Großmann, Michael [VerfasserIn]

Imprint : an important failure mechanism of ferroelectric thin films in view of memory applications - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 2001

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 346
Vogel, Tobias [VerfasserIn] ; Alff, Lambert [AkademischeR BetreuerIn]; Trautmann, Christina [AkademischeR BetreuerIn]

Switching in Emerging Memories and their Response to Heavy Ion Irradiation

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https://d-nb.info/1283559501/34

kostenfrei

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Darmstadt: Universitäts- und Landesbibliothek, 2023
Pešić, Milan [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]

Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories

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New York : IEEE, [2021]
Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Park, Min Hyuk [VerfasserIn]; Schröder, Uwe [VerfasserIn]

Ferroelectric hafnium oxide for ferroelectric random-access memories and ferroelectric field-effect transistors

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Cambridge : Cambridge University Press, [2020]
Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [AkademischeR BetreuerIn]; Dörr, Kathrin [AkademischeR BetreuerIn]

Electrical Characterisation of Ferroelectric Field Effect Transistors based on Ferroelectric HfO2 Thin Films

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Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2015

Erschienen in: Research at NaMLab
Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

Accumulative Polarization Reversal in Nanoscale Ferroelectric Transistors

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Washington, DC : ACS Publications, [2022]
Buragohain, P. [VerfasserIn]; Richter, C. [VerfasserIn]; Schenk, Tony [VerfasserIn]; Schroeder, Uwe [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Lu, H. [VerfasserIn]; Gruverman, A. [VerfasserIn]

Nanoscopic studies of domain structure dynamics in ferroelectric La:HfO2 capacitors

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Melville, NY : AIP Publishing, [2022]
Mulaosmanovic, Halid [VerfasserIn]; Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]; Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]

Ferroelectric FETs With 20-nm-Thick HfO₂ Layer for Large Memory Window and High Performance

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New York, NY : IEEE, [2021]
Slesazeck, Stefan [VerfasserIn]; Mikolajick, Thomas [VerfasserIn]

Nanoscale resistive switching memory devices: a review

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Bristol : IOP Publishing, [2022]
Lenz, Thomas [VerfasserIn]

Device physics and nanostructuring of organic ferroelectric memory diodes

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Mainz: Universitätsbibliothek Mainz, 2017

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