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Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Electrical characterisation of ferroelectric field effect transistors based on ferroelectric HfO2 thin films

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Berlin: Logos Verlag, 2015

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 4
Micheloni, Rino [VerfasserIn]; Marelli, Alessia [VerfasserIn]; Ravasio, Roberto [VerfasserIn]

Error correction codes for non-volatile memories

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[Dordrecht]: Springer, 2008
Müller, Johannes [VerfasserIn]

Ferroelektrizität in Hafniumdioxid und deren Anwendung in nicht-flüchtigen Halbleiterspeichern

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Stuttgart: Fraunhofer Verl., 2015
Micheloni, Rino [HerausgeberIn]; Campardo, Giovanni [HerausgeberIn]; Olivo, Piero [HerausgeberIn]

Memories in wireless systems

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Berlin; Heidelberg: Springer, 2008

Erschienen in: Signals and communication technology
Campardo, Giovanni [VerfasserIn]; Micheloni, Rino [VerfasserIn]; Novosel, David [VerfasserIn]

VLSI-design of non-volatile memories

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2005
Pešić, Milan Dragan [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD Books on Demand, [2017]

Erschienen in: Research at namlab
Senftleben, Oliver Siegfried [VerfasserIn]

Elektrische Nanobauelemente auf Basis von C60-Fullerenen - [1. Aufl.]

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Göttingen: Cuvillier, 2009
Lederer, Maximilian [VerfasserIn] ; Eng, Lukas [AkademischeR BetreuerIn]; Noheda, Beatriz [AkademischeR BetreuerIn] Technische Universität Dresden

Material development of doped hafnium oxide for non-volatile ferroelectric memory application

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Dresden: Technische Universität Dresden, 6th May 2022
Skoncej, Patryk [VerfasserIn] ; Kraemer, Rolf [AkademischeR BetreuerIn]

Investigation of methods for increasing the reliability of highly integrated non-volatile memories on system level

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https://d-nb.info/1114283746/34

kostenfrei

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Cottbus: BTU Cottbus - Senftenberg, 2015
Oukid, Ismail [VerfasserIn] ; Lehner, Wolfgang [AkademischeR BetreuerIn]; Lehner, Wolfgang [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Manegold, Stefan [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Architectural Principles for Database Systems on Storage-Class Memory

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https://d-nb.info/1151816493/34

Zugang und weitere Informationen zur Ressource (kostenfrei)

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Dresden: Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden; Dresden: Technische Universität Dresden, 2018
Traue, Jana [VerfasserIn] ; Nolte, Jörg [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Fine-grained transactions for NVRAM

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https://d-nb.info/116965519X/34

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Cottbus: BTU Cottbus - Senftenberg, 2018
Khassanov, Artöm [VerfasserIn] ; Halik, Marcus [AkademischeR BetreuerIn]

Structural Characterization of Self-Assembled Monolayers and their Application in Organic Thin-Film Memory Transistors

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https://d-nb.info/1080362673/34

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Erlangen: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2015
Materano, Monica [VerfasserIn] ; Mikolajick, Thomas [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Dubourdieu, Catherine [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

Optimization of performance and reliability of HZO-based capacitors for ferroelectric memory applications

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https://d-nb.info/126500952X/34

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Dresden: Technische Universität Dresden, 2022
Sayed, Nour [VerfasserIn] ; Tahoori, M. B. [AkademischeR BetreuerIn]

High-Performance Energy-Efficient and Reliable Design of Spin-Transfer Torque Magnetic Memory

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https://d-nb.info/1207393010/34

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Karlsruhe: KIT-Bibliothek, 2020
Bieniusa, Annette [VerfasserIn]; Boehm, Hans-J. [VerfasserIn]; Herlihy, Maurice [VerfasserIn]; Petrank, Erez [VerfasserIn] ; Annette Bieniusa and Hans-J. Boehm and Maurice Herlihy and Erez Petrank [MitwirkendeR]

New Challenges in Parallelism (Dagstuhl Seminar 17451)

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Schloss Dagstuhl - Leibniz-Zentrum fuer Informatik; Dagstuhl Reports. Dagstuhl Reports, Volume 7, Issue 11, 2018
Kalbitz, René [VerfasserIn] ; Gerhard, Reimund [AkademischeR BetreuerIn]

Stability of polarization in organic ferroelectric metal-insulator-semiconductor structures

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https://d-nb.info/1018543384/34

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Potsdam: Universitätsbibliothek der Universität Potsdam, 2011
Oh, Hyunok [VeranstalterIn]; Choi, Jongmoo [VeranstalterIn]; Yi, Youngmin [HerausgeberIn] ; IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 9. 2020 Online, Institute of Electrical and Electronics Engineers

9th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : NVMSA 2020 : 19-21 August 2020, Korea : proceedings

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2020
IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 8. 2019 Hangzhou, Institute of Electrical and Electronics Engineers

2019 IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium (NVMSA) : NVMSA 2019 : Hangzhou, China, 18-21 August 2019 : proceedings

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2019
Endo, Toshio [VeranstalterIn]; Chang, Yuan-Hao [VeranstalterIn] ; IEEE NVMSA 7. 2018 Hakodate, Institute of Electrical and Electronics Engineers

7th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : NVMSA 2018 : 28-31 August 2018, Hakodate, Japan : proceedings

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Piscataway, NJ: IEEE, 2018
IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 6. 2017 Xinzhu, Institute of Electrical and Electronics Engineers, Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE Computer Society Technical Committee on Real-Time Systems

NVMSA 2017 - the 6th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : August 16-18, 2017, Hsinchu, Taiwan

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2017

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