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Medientyp: Buch; Hochschulschrift Titel: Electrical characterisation of ferroelectric field effect transistors based on ferroelectric HfO2 thin films Beteiligte: Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] Körperschaft: Technische Universität Dresden Erschienen: Berlin: Logos Verlag, 2015 Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 4 Umfang: X, 170 Seiten; Illustrationen, Diagramme; 21 cm Sprache: Englisch; Deutsch ISBN: 3832540032; 9783832540036 RVK-Notation: ZN 4870 : Feldeffekt-Bauelemente allgemein; Feldeffekt-Transistoren ZN 3430 : Ferroelektrische Werkstoffe; Piezoelektrika Schlagwörter: Nichtflüchtiger Speicher > Ferroelektrischer Transistor > Hafniumdioxid > Dünne Schicht > Silicium > Dotierung Entstehung: Hochschulschrift: Dissertation, Technische Universität Dresden, 2015 Anmerkungen: Kurzzusammenfassung auf Deutsch Weitere Bestandsnachweise 0 : Research at NaMLab
Zentralbibliothek – Magazin Signatur: 2019 8 020625 Barcode: 34118673 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: 2019 8 020627 Barcode: 34118674 Status: Bestellen zur Benutzung im Haus, kein Versand per Fernleihe, nur Kopienlieferung > Bestellen möglich - bitte anmelden