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Mulaosmanovic, Halid; Breyer, Evelyn T; Dünkel, Stefan; Beyer, Sven; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Ferroelectric field-effect transistors based on HfO2: a review

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IOP Publishing, 2021

Erschienen in: Nanotechnology
Mulaosmanovic, Halid; Kleimaier, Dominik; Dünkel, Stefan; Beyer, Sven; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Ferroelectric transistors with asymmetric double gate for memory window exceeding 12 V and disturb-free read

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Royal Society of Chemistry (RSC), 2021

Erschienen in: Nanoscale
Mulaosmanovic, Halid; Dünkel, Stefan; Trentzsch, Martin; Beyer, Sven; Breyer, Evelyn T.; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Frequency Mixing with HfO2-Based Ferroelectric Transistors

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American Chemical Society (ACS), 2020

Erschienen in: ACS Applied Materials & Interfaces
Mulaosmanovic, Halid; Dunkel, Stefan; Trentzsch, Martin; Beyer, Sven; Breyer, Evelyn T.; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Investigation of Accumulative Switching in Ferroelectric FETs: Enabling Universal Modeling of the Switching Behavior

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020

Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices
Schroeder, Uwe; Mueller, Johannes; Yurchuk, Ekatarina; Mueller, Stefan; Martin, Dominik; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas

Hafnium Oxide Based CMOS Compatible Ferroelectric Materials

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The Electrochemical Society, 2012

Erschienen in: ECS Meeting Abstracts
Dahan, Mor M.; Breyer, Evelyn T.; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas; Kvatinsky, Shahar

C-AND: Mixed Writing Scheme for Disturb Reduction in 1T Ferroelectric FET Memory

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022

Erschienen in: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
Marchand, Cedric; O'Connor, Ian; Cantan, Mayeul; Breyer, Evelyn T.; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas

A FeFET-Based Hybrid Memory Accessible by Content and by Address

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022

Erschienen in: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits
Ascoli, Alon; Weiher, Martin; Herzig, Melanie; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas; Tetzlaff, Ronald

Graph Coloring via Locally-Active Memristor Oscillatory Networks

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MDPI AG, 2022

Erschienen in: Journal of Low Power Electronics and Applications
Hoffmann, Michael; Gui, Mengcheng; Slesazeck, Stefan; Fontanini, Riccardo; Segatto, Mattia; Esseni, David; Mikolajick, Thomas

Intrinsic Nature of Negative Capacitance in Multidomain Hf0.5Zr0.5O2‐Based Ferroelectric/Dielectric Heterostructures

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Wiley, 2022

Erschienen in: Advanced Functional Materials
Lancaster, Suzanne; Lomenzo, Patrick D.; Engl, Moritz; Xu, Bohan; Mikolajick, Thomas; Schroeder, Uwe; Slesazeck, Stefan

Investigating charge trapping in ferroelectric thin films through transient measurements

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Frontiers Media SA, 2022

Erschienen in: Frontiers in Nanotechnology
Weiher, Martin; Herzig, Melanie; Tetzlaff, Ronald; Ascoli, Alon; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Improved Vertex Coloring With NbOₓ Memristor-Based Oscillatory Networks

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021

Erschienen in: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
Ascoli, Alon; Demirkol, Ahmet S.; Tetzlaff, Ronald; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas; Chua, Leon O.

On Local Activity and Edge of Chaos in a NaMLab Memristor

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Frontiers Media SA, 2021

Erschienen in: Frontiers in Neuroscience
Trommer, Jens; Simon, Maik; Slesazeck, Stefan; Weber, Walter M.; Mikolajick, Thomas

Inherent Charge-Sharing-Free Dynamic Logic Gates Employing Transistors With Multiple Independent Inputs

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2020

Erschienen in: IEEE Journal of the Electron Devices Society
Herzig, Melanie; Weiher, Martin; Ascoli, Alon; Tetzlaff, Ronald; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Improvement of NbOx-based threshold switching devices by implementing multilayer stacks

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IOP Publishing, 2019

Erschienen in: Semiconductor Science and Technology
Herzig, Melanie; Weiher, Martin; Ascoli, Alon; Tetzlaff, Ronald; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Multiple slopes in the negative differential resistance region of NbOx-based threshold switches

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IOP Publishing, 2019

Erschienen in: Journal of Physics D: Applied Physics
Hoffmann, Michael; Fengler, Franz Paul Gustav; Max, Benjamin; Schroeder, Uwe; Slesazeck, Stefan; Mikolajick, Thomas

Negative Capacitance for Electrostatic Supercapacitors

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Wiley, 2019

Erschienen in: Advanced Energy Materials
Weiher, Martin; Herzig, Melanie; Tetzlaff, Ronald; Ascoli, Alon; Mikolajick, Thomas; Slesazeck, Stefan

Pattern Formation With Locally Active S-Type NbOx Memristors

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019

Erschienen in: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
Knebel, Steve; Zhou, Dayu; Schroeder, Uwe; Slesazeck, Stefan; Pesic, Milan; Agaiby, Rimoon; Heitmann, Johannes; Mikolajick, Thomas

Reliability Comparison of ZrO2-Based DRAM High-k Dielectrics Under DC and AC Stress

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017

Erschienen in: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Wylezich, Helge; Mähne, Hannes; Heinrich, Anett; Slesazeck, Stefan; Rensberg, Jura; Ronning, Carsten; Zahn, Peter; Mikolajick, Thomas

Adjusting the forming step for resistive switching in Nb2O5 by ion irradiation

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American Vacuum Society, 2015

Erschienen in: Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
Kupke, Steve; Knebel, Steve; Ocker, Johannes; Slesazeck, Stefan; Agaiby, Rimoon; Trentzsch, Martin; Mikolajick, Thomas

Experimental Proof of the Drain-Side Dielectric Breakdown of HKMG nMOSFETs Under Logic Circuit Operation

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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015

Erschienen in: IEEE Electron Device Letters

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