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Cappelletti, Paulo [HerausgeberIn]

Flash memories - [3rd printing]

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Boston [u.a.]: Kluwer, 2001
Senftleben, Oliver Siegfried [VerfasserIn]

Elektrische Nanobauelemente auf Basis von C60-Fullerenen - [1. Aufl.]

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Göttingen: Cuvillier, 2009
Yurchuk, Ekaterina [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Electrical characterisation of ferroelectric field effect transistors based on ferroelectric HfO2 thin films

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Berlin: Logos Verlag, 2015

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 4
Müller, Johannes [VerfasserIn]

Ferroelektrizität in Hafniumdioxid und deren Anwendung in nicht-flüchtigen Halbleiterspeichern

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Stuttgart: Fraunhofer Verl., 2015
Campardo, Giovanni [VerfasserIn]; Micheloni, Rino [VerfasserIn]; Novosel, David [VerfasserIn]

VLSI-design of non-volatile memories

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Berlin; Heidelberg [u.a.]: Springer, 2005
Micheloni, Rino [HerausgeberIn]; Campardo, Giovanni [HerausgeberIn]; Olivo, Piero [HerausgeberIn]

Memories in wireless systems

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Berlin; Heidelberg: Springer, 2008

Erschienen in: Signals and communication technology
Micheloni, Rino [VerfasserIn]; Marelli, Alessia [VerfasserIn]; Ravasio, Roberto [VerfasserIn]

Error correction codes for non-volatile memories

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[Dordrecht]: Springer, 2008
Hoffmann, Kurt [VerfasserIn]

Systemintegration : vom Transistor zur großintegrierten Schaltung - [2., korrigierte und erw. Aufl.]

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München; Wien: Oldenbourg, 2006
Pešić, Milan Dragan [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden

Gate stack engineering for emerging polarization based non-volatile memories - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD Books on Demand, [2017]

Erschienen in: Research at namlab
Breyer, Evelyn T. [VerfasserIn] ; Books on Demand GmbH Norderstedt, Technische Universität Dresden

Development and investigation of novel logic-in-memory and nonvolatile logic circuits utilizing hafnium oxide-based ferroelectric field-effect transistors - [1. Auflage]

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Norderstedt: BoD – Books on Demand, [2022]

Erschienen in: Research at namlab
Melde, Thomas [VerfasserIn]

Modellierung und Charakterisierung des elektrischen Verhaltens von haftstellen-basierten Flash-Speicherzellen

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Berlin: Logos-Verl., 2011

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 1
Kreevenko, Yaroslav [VerfasserIn]

Ein erweitertes Kompaktmodell für die Schaltungs- und Zuverlässigkeitssimulation von Flash-Speicherzellen - [1. Aufl.]

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Aachen: Mainz, 2008

Erschienen in: Kieler Beiträge zu mikroelektronischen Systemen ; 9
Schmidt, Jan Uwe [VerfasserIn]

Synthesis of silicon nanocrystal memories by sputter deposition - [Als Ms. gedr.]

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Rossendorf: FZR, 2005

Erschienen in: Forschungszentrum Rossendorf: Wissenschaftlich-technische Berichte ; 425
Tiedke, Stephan [VerfasserIn]

Elektrische Charakterisierung ferroelektrischer Nanostrukturen in Hinblick auf die Verwendung in nicht-flüchtigen Speicherbausteinen

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Aachen: Shaker, 2005

Erschienen in: Berichte aus der Elektrotechnik
Knebel, Steve [VerfasserIn] ; Technische Universität Dresden, Logos Verlag Berlin

Herstellung ultra-dünner hoch-[epsilon]r Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

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Berlin: Logos Verlag, [2019]

Erschienen in: NaMLab gGmbH: Research at NaMLab ; 6
Ellerkmann, Ulrich [VerfasserIn]

Impact of the interface capacity on failure mechanisms and size effects in ferroelectric thin films

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Aachen: Shaker, 2006

Erschienen in: Berichte aus der Halbleitertechnik
Oh, Hyunok [VeranstalterIn]; Choi, Jongmoo [VeranstalterIn]; Yi, Youngmin [HerausgeberIn] ; IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 9. 2020 Online, Institute of Electrical and Electronics Engineers

9th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : NVMSA 2020 : 19-21 August 2020, Korea : proceedings

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2020
IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 8. 2019 Hangzhou, Institute of Electrical and Electronics Engineers

2019 IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium (NVMSA) : NVMSA 2019 : Hangzhou, China, 18-21 August 2019 : proceedings

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2019
Endo, Toshio [VeranstalterIn]; Chang, Yuan-Hao [VeranstalterIn] ; IEEE NVMSA 7. 2018 Hakodate, Institute of Electrical and Electronics Engineers

7th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : NVMSA 2018 : 28-31 August 2018, Hakodate, Japan : proceedings

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Piscataway, NJ: IEEE, 2018
IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium 6. 2017 Xinzhu, Institute of Electrical and Electronics Engineers, Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE Computer Society Technical Committee on Real-Time Systems

NVMSA 2017 - the 6th IEEE Non-Volatile Memory Systems and Applications Symposium : August 16-18, 2017, Hsinchu, Taiwan

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[Piscataway, NJ]: IEEE, 2017

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